會穿越的哥哥
2010-11-17
1，針腳：ddr2 184pin，ddr3 240pin
2，頻率：ddr2有533/677/800，ddr3有1066/1333/1600/2000等
3，電壓也不同
詳細：
DDR3與DDR2的不同之處
1、邏輯Bank數量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。
2、封裝（Packages）
DDR3由於新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶片採用78球FBGA封裝，16bit晶片採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。
3、突發長度（BL，Burst Length）
由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸週期（BL，Burst Length）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸，屆時可透過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3記憶體中予以禁止，且不予支援，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。
3、定址時序（Timing）
就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序引數——寫入延遲（CWD），這一引數將根據具體的工作頻率而定。
4、新增功能——重置（Reset）
重置是DDR3新增的一項重要功能，併為此專門準備了一個引腳。DRAM業界已經很早以前就要求增這一功能，如今終於在DDR3身上實現。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3記憶體將停止所有的操作，並切換至最少量活動的狀態，以節約電力。在Reset期間，DDR3記憶體將關閉內在的大部分功能，所以有資料接收與傳送器都將關閉。所有內部的程式裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬資料匯流排上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節省電力的目的。
5、新增功能——ZQ校準
ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳透過一個命令集，透過片上校準引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）來自動校驗資料輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令之後，將用相應的時鐘週期（在加電與初始化之後用512個時鐘週期，在退出自重新整理操作後用256時鐘週期、在其他情況下用64個時鐘週期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。
6、參考電壓分成兩個
對於記憶體系統工作非常重要的參考電壓訊號VREF，在DDR3系統中將分為兩個訊號。一個是為命令與地址訊號服務的VREFCA，另一個是為資料匯流排服務的VREFDQ，它將有效的提高系統資料匯流排的信噪等級。
7、根據溫度自動自重新整理（SRT，Self-Refresh Temperature）
為了保證所儲存的資料不丟失，DRAM必須定時進行重新整理，DDR3也不例外。不過，為了最大的節省電力，DDR3採用了一種新型的自動自重新整理設計（ASR，Automatic Self-Refresh）。當開始ASR之後，將透過一個內置於DRAM晶片的溫度感測器來控制重新整理的頻率，因為重新整理頻率高的話，消電就大，溫度也隨之升高。而溫度感測器則在保證資料不丟失的情況下，儘量減少重新整理頻率，降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計，並不見得市場上的DDR3記憶體都支援這一功能，因此還有一個附加的功能就是自重新整理溫度範圍（SRT，Self-Refresh Temperature）。透過模式暫存器，可以選擇兩個溫度範圍，一個是普通的的溫度範圍（例如0℃至85℃），另一個是擴充套件溫度範圍，比如最高到95℃。對於DRAM內部設定的這兩種溫度範圍，DRAM將以恆定的頻率和電流進行重新整理操作。
8、區域性自重新整理（RASR，Partial Array Self-Refresh）
這是DDR3的一個可選項，透過這一功能，DDR3記憶體晶片可以只重新整理部分邏輯Bank，而不是全部重新整理，從而最大限度的減少因自重新整理產生的電力消耗。這一點與移動型記憶體（Mobile DRAM）的設計很相似。
9、點對點連線（P2P，Point-to-Point）
這是為了提高系統性能而進行了重要改動，也是與DDR2系統的一個關鍵區別。在DDR3系統中，一個記憶體控制器將只與一個記憶體通道打交道，而且這個記憶體通道只能一個插槽。因此記憶體控制器與DDR3記憶體模組之間是點對點（P2P，Point-to-Point）的關係（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（P22P，Point-to-two-Point）的關係（雙物理Bank的模組），從而大大減輕了地址/命令/控制與資料匯流排的負載。而在記憶體模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（膝上型電腦）、FB-DIMM2（伺服器）之分，其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2（高階記憶體緩衝器）。不過目前有關DDR3記憶體模組的標準制定工作剛開始，引腳設計還沒有最終確定。
除了以上9點之外，DDR3還在功耗管理，多用途暫存器方面有新的設計，但由於仍入於討論階段，且並不是太重要的功能，在此就不詳細介紹了
zhu1996520
2010-11-17
速度的快慢
吳叔xdzz
2010-11-17
二樓說的好，全面準確
宇文桂蘭貳煙
2020-02-28
DDR3記憶體比DDR2插口大，速度是DDR2快，而且電壓低，比較節能。。
價格也比ddr2貴
