碳化矽（SiC）是一種廣泛使用的老牌工業材料，1893年已經開始大規模生產了，至今一直在使用。不過自然界中很難找到碳化矽，在隕石中的礦物莫桑石會含有碳化矽。由於碳化矽的硬度很高，碳化矽的主要用途是用作磨料，也被用於汽車制動盤，作為汽車潤滑劑的新增劑和珠寶鑽石的替代品等。不過最近幾十年來，它已被用作電子材料，最初用於發光二極體（LED），最近又被用於電力電子裝置，包括肖特基勢壘二極體（SBD），結型場效應電晶體（JFET）和MOSFET電晶體。由於SiC MOSFET具有取代現有的矽超級結（SJ）電晶體和整合柵雙極電晶體（IGBT）技術的潛力，因此受到了特別的關注。
多年之前碳化矽的半導體器件潛力已為人所知。在1962年Lloyde Wallace獲得了專利（US3254280A），這是一種碳化矽單極電晶體器件。它本質上是一個結型場效應電晶體。圖1顯示了Lloyde 1962年專利的圖。在P型SiC主體中形成N型溝道區域。源極/漏極觸點形成到N型溝道。柵極結構位於源極和漏極之間，並且相應的柵電極位於SiC襯底的底側。目前，UnitedSiC正在生產基於碳化矽的JFET ，儘管它們是為了提高效能而基於垂直設計，其中源極和柵極位於SiC裸片的頂部，而漏極位於背面。
圖1從US3254280A（碳化矽單極電晶體）
1989年，北卡羅來納州立大學（NCSU）的B。 Jayant Baliga首次描述了將SiC用於電力電子裝置的好處1。Baliga在通用電氣期間發明了IGB。他現在是NCSU的傑出大學教授。他得出了一個稱為BHFFOM的品質因數，該品質因數表明可以透過使用具有更大遷移率和更高臨界擊穿場的半導體（例如SiC甚至鑽石）來減少功率損耗。在這段時間出現了一系列與碳化矽的電力半導體應用相關的專利。
當時的主要發明者之一是約翰·帕爾默（John Palmour），他於1987年在北卡羅萊納州的三角研究園共同創立了Cree。現在他是電源和射頻技術的首席技術官。Cree一直是SiC功率器件技術的主要驅動力之一。當他還在NCSU時，還是一名研究生，他在1987年申請了一項重要專利，該專利導致了SiC基MOSFET電晶體的發明。
該開創性專利（US4875083A）涉及在SiC襯底上形成MOS電容器結構。
現摘錄1987年此項專利發表的簡介，描述了當時SiC的發展狀況：
碳化矽一直是半導體器件的候選材料。長期以來，碳化矽一直被認為具有獨特的特性，這使得它具有比其他常用半導體材料如矽（Si）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）形成的半導體器件更優越的特性。碳化矽具有寬的帶隙、高的熔點、低的介電常數、高的擊穿場強、高的導熱係數和高的飽和電子漂移速度。這些特性使碳化矽製成的器件有可能在更高的溫度、更近的距離、更高的功率級別以及其他一些由其他半導體材料製成的器件根本無法工作的情況下工作。
儘管具有這些已知的特性，但由碳化矽製成的高質量商用裝置尚未問世。碳化矽是一種非常難處理的材料，它可以在150多種不同的多型中結晶。因此，在半導體材料上製造電子器件所需的單個多型或特定多型碳化矽薄膜的大型單晶仍然是一個難以實現的目標。
但是，最近，該領域已經取得了許多進展，這首次使在碳化矽上生產商業品質的電子裝置成為可能。然而，最近在這一領域取得了一些進展，使商用優質碳化矽電子器件的生產首次成為可能。
本專利圖1和圖2展示了所述MOS電容器的結構，如下圖2所示。該電容器是由一個圓形歐姆接觸到摻雜的碳化矽襯底與中心圓形金屬接觸在一層氧化物。由於底層SiC中的載流子損耗，電容隨外加電壓的變化而變化。MOS電容結構是形成MOSFET電晶體的關鍵。
圖2： 來自US4875083A（在碳化矽上形成的金屬絕緣體-半導體電容器）
奇怪的是，在SiC襯底上，一個描述簡單的平面MOSFET電晶體的裝置專利似乎並不存在。很可能，這個概念在當時會被認為是顯而易見的，不需要申請專利。還有一些專利描述在碳化矽襯底上製造MOSFET電晶體的方法，描述了基本結構簡單MOSFET結構的變化。例如，Yoshihisa Fujii，Akira Suzuki和Katsuki Furukawa 在1990年提交US5170231A，描述了一種具有不對稱源/漏電導率的SiC MOSFET。此後不久，1992年，約翰·帕爾默（John Palmour）申請了開創性專利（US5506421A），描述了垂直溝槽柵極SiC MOSFET的結構。該申請是在1996年批准的，現在已經超過20年了，因此該專利已經過期，所描述的概念現在已經進入公有領域。但是，在此專利之後有許多與SiC MOSFET相關的專利仍然有效。例如，搜尋顯示Cree擁有700多項與SiC MOSFET技術相關的有效專利。
US5506421A所示的垂直溝道SiC MOSFET的結構如下圖3所示。該專利聲稱垂直功率MOSFET具有低導通電阻和高溫範圍，形成於碳化矽襯底的C面，類似於N型。在襯底上方形成N-漂移層，然後是P-溝道層。溝槽柵極穿透P-溝道層，並且形成N +源極區。金屬源電極和漏電極分別位於管芯的頂部和底部。這種溝槽架構有時稱為UMOS（U形柵極），以區別於平面DMOS（漂移MOS）設計。
圖3 US5506421A（功率MOSFET在碳化矽）
到了2011年， Cree推出了市場上第一個SiC功率MOSFET，即CMF20120D器件。CMF20120D是垂直N溝道增強型SiC MOSFET。圖4顯示了CMF20120D器件中的平面電晶體柵極的橫截面SEM顯微照片。在此SEM顯微照片中描繪了N +源和P型身體植入物。
圖4 Cree CMF20120D碳化矽平面MOSFET橫截面
自2010年以來，碳化矽功率MOSFET市場顯著擴大，現在每年超過2億美元。隨著SiC在汽車、光伏、鐵路等多個市場取代矽技術，許多新的參與者已經進入市場，有望實現兩位數的複合年增長率。通常，SiC 功率MOSFET的工作電壓為1200或1700 V，旨在取代IGBT技術。最近釋出了650 V SiC MOSFET器件，其目標可能是與矽超級結和基於GaN的技術競爭。
看來Cree仍繼續專注於平面SiC MOSFET技術。但是，包括英飛凌和羅姆在內的其他廠商在採用溝槽或UMOS技術。相比之下，意法半導體（STMicroelectronics）也專注於平面SiC MOSFET技術。圖5顯示了在羅姆 SCT3022AL 650 V SiCN溝道MOSFET 上發現的溝槽柵極的橫截面SEM顯微照片。
圖5與US5506421A的權利要求1的比較表明，羅姆 SCT3022AL使用了John Palmour精溝槽SiC MOSFET專利中的許多功能。例如，SEM影象顯示溝槽，絕緣層和柵電極的存在。
圖5 Rohm SCT3022AL 650 V SiC MOSFET橫截面
碳化矽是一種顛覆性的技術，隨著在各種關鍵電力電子市場上它正在取代矽基技術的地位，正開始受到市場的關注。。自20世紀80年代中期以來，關鍵發明家所做的創新工作使這成為可能。據預測，到2025年，SiC電力電子市場規模將超過10億美元，並且可能會更早。
