作者：畢津順
本期系列課程，來自中國科學院微電子研究所的
畢津順老師
為我們帶來
抗輻照SOI技術
的全面講解。
首先要進行的是對SOI技術背景的介紹。
技術介紹
左側展示的是
體矽 CMOS技術
和
SOI CMOS技術
的對比圖，對比我們可發現，SOI CMOS具有一個絕緣氧化物的埋層，上方存在一層很薄的單晶矽的薄膜，下方存在著單晶矽的矽襯，也就是說，SOI CMOS屬於一種
單晶矽-氧化物-單晶矽
的三明治結構，在這一點上與體矽截然不同
SOI技術特點與優勢：
·
SOI器件易於形成淺結，具有很小的寄生電容，執行速度更快，且具有
低壓低功耗
的特點；
·
抗單粒子和瞬時劑量率能力低於體矽，無閂鎖效應，
抗輻照
能力強；
·
採用全介質隔離，溝槽隔離，結構更為緊湊，器件
整合度
更高；
·
抗短溝道效應能力強，洩漏電流較小，特別適合於
小尺寸
器件和電路。
主要應用
現如今SOI技術主要應用區域有：
·
低功耗高速積體電路；
·
甚大規模積體電路；
·
抗輻照積體電路；
·
大功率器件；
·
耐高溫器件；
·
矽基的射頻；
·
感測器&MEMS應用等等。
介紹完SOI技術的背景知識，我們來介紹SOI技術國內外發展概況。
國內外發展
SOI技術國外發展狀況
SOI國內發展狀況
SOI技術行業構成主要包括晶圓材料提供商，半導體的工藝代工，再細化為晶片解析方案商，DRAM，射頻，消費級電子以及抗輻照IC等方面的應用。
國內經過多年的努力得到了良好的發展，形成了比較完善的產業鏈。相信在未來，國內SOI產業會得到更好的發展機遇。
請跟隨畢津順老師一起了解一下吧！！
《【抗輻照SOI系列】1。SOI技術背景》
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【抗輻照SOI系列】1。SOI技術背景
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