小武電子愛好者2019-05-09 17:23:50您好，很高興回答您的問題，希望我的回答對您有用，小武愛電子每天更新數碼電子類影片，喜歡的朋友歡迎關注，我們共同學習，共同進步！
mos管和igbt管作為現代電子裝置使用頻率較高的新型電子元器件，因此在電路中常常碰到也習以為常。可是mos管和ignt管由於外形和靜態引數非常相似，有時候在選擇、判斷、使用的時候容易出錯，下面我來給大家分享一下我的方法：
mos管：中文名為金氧半導體絕緣柵形場效電晶體，特性是輸入阻抗高、開關速度快、穩定性好、電壓控制電流等。
igbt管：中文名為絕緣雙極型場效應電晶體，其實igbt管是mos管和三極體的組合，MOS管作為輸入管，而三極體作為輸出管，於是撒機關的功率做的很大。
MOS管和IGBT管的辨別
帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管的識別
帶阻尼的NPN型IGBT管與N溝道增強型MOMS管它們的柵極位置一樣，IGBT管的C極位置跟MODS管的D極位置相對應，IGBT管的e極位置跟MODS管的S極位置相對應，對它們的好壞判斷及及區分可以用動靜態測量方法來完成。
靜態測量判斷MOS管和IGBT管的好壞
先將兩個管子的管腳短路放掉靜電，MOS管的D極與S極之間有個PN接，正向導通反向截止，於是有Rgd＝Rgs＝Rds＝無窮大，rsd＝幾千歐。IGBT管的G極到c、e極的電阻應為無窮大，即Rgc＝Rge＝無窮大，而IGBT管的之間有阻尼二極體的存在，因此具有單向導電反向截止特性，即Rce＝無窮大，Rec＝幾千歐。從這裡只能用萬用表的電阻檔判斷出管子的好壞，卻區分不出是那種管子。測量得阻值很小，則說明管子被擊穿，測量阻值很大，說明管子內部斷路。
測量區分MOS管和IGBT管
先用萬用表給管子的柵極施加電壓，是場效電晶體建立起溝道，然後測量D、S及c、e之間的阻值，根據阻值的差異來區分MOS管和IGBT管。
用萬用表的電阻檔測量兩個管子的D、S及c、e之間的電阻，由於場效電晶體已經建立溝道，Rds＝Rsd≈0，而Rce之間呈現電阻Rce，晶體三極體處於放大狀態的導通電阻，Rec為內部阻尼二極體的導通電阻，兩者均為幾千歐。因此根據測量可知，兩個管子的導通程度不一樣，MOS管的D、S之間電阻值是遠小於IGBT管c、e之間的電阻值，於是可以分辨出MOS與IGBT管。
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