街角的祝福12022-03-19 20:02:44有點毒的
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研製高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。
目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料製備出了金屬場效應電晶體（MESFET）、異質結場效應電晶體（HFET）、調製摻雜場效應電晶體（MODFET）等新型器件。
調製摻雜的AlGaN/GaN結構具有高的電子遷移率（2000cm2/v·s）、高的飽和速度（1×107cm/s）、較低的介電常數，是製作微波器件的優先材料；GaN較寬的禁頻寬度（3。4eV） 及藍寶石等材料作襯底，散熱效能好，有利於器件在大功率條件下工作。
使用者325420342402021-04-10 22:42:13沒有毒，因為它是一種半導體材料
