使用者22161004969072022-12-15 20:54:361、威廉，肖克萊（William Shockley）
1910年2月13日生於英國倫敦。美國物理學家，美國藝術與科學學院、電氣與電子工程師協會高階會員。
2、約翰？巴丁（John Bardeen）
1908年5月23日，巴丁出生於威斯康星州麥迪遜城。巴丁的研究領域包括半導體器件、超導電性和複製技術。
3、沃爾特？布拉頓（Walter Houser Brattain）
1902年2月10日生於中國廈門市。美國物理學家，美國科學院院士。曾獲巴倫坦獎章、約翰？斯可特獎章。布拉頓長期從事半導體物理學研究，發現半導體自由表面上的光電效應。
4、傑克？基爾比（Jack Kilby）
1923年生於美國密蘇里州傑弗遜城。1958年9月12日，基爾比發明的微晶片成功地進行了演示，這是世界上第一塊積體電路。
5、羅伯特？諾伊斯（Robert Noyce）
1927年12月，羅伯特？諾伊斯生於美國愛荷華州。他與同伴自行創辦了快捷半導體公司，他擔任總經理一職。肖克萊稱他們為“八個天才的叛逆”。1968年8月，諾伊斯與戈登創辦了著名的英特爾（Intel）公司，諾伊斯出任總經理。1970年，Intel推出世界上第一款DRAM（動態隨機儲存器）積體電路1103，實現了開門紅。1971年，推出世界上第一款微處理器4004，揭開了基於微處理器的微型計算機的序幕。此後，Intel憑藉技術創新的優勢，成為全球最大的半導體廠商。
6、戈登？摩爾（Gordon Moore）
1929年1月3日生於舊金山佩斯卡迪諾，美國科學家，企業家，1965年，摩爾提出“摩爾定律”。1968年，摩爾和諾伊斯一起退出仙童公司，創辦了Intel。他的定律不僅把英特爾帶到了產業的頂峰，也指引著多年來IT產業的發展。
7、瓊？霍爾尼（Jean Hoerni）
1924年生於瑞士，為“八個叛逆者”之一。1959年，他發明了平面工藝的一種叫做光學蝕刻的處理方法。霍爾尼創造了一個光罩，它就像一張底片，上面有一簇小孔，用來過濾掉不清潔的東西，然後讓它在光線中翻動。在化學洗滌之後，金屬板上只要是留下光阻劑的地方，雜質就不會散落到下面，以此來解決平面電晶體的可靠性問題，因而使半導體生產發生了革命性的變化，堪稱“20世紀意義最重大的成就之一”，並且奠定了矽作為電子產業中關鍵材料的地位。
8、弗蘭克·威納爾斯（Frank M。Wanlass）
他曾獲得美國鹽湖城猶他大學的博士學位，在1963年的固態電路大會上，他提交了一份與Sah合著的關於CMOS的構想報告，同時還用了一些實驗資料對CMOS技術進行了大概的解釋，同時，關於CMOS的主要特徵也基本確定：“靜態電源功率密度低；工作電源功率密度高，能夠形成高密度的場效應真空三極體邏輯電路。”簡而言之，CMOS的最大特徵就是低功耗。而今天，95%以上的積體電路晶片都是基於CMOS工藝。
9、張忠謀
1931年生於浙江。27歲那年，作為麻省理工學院畢業的碩士生，他與半導體開山鼻祖、英特爾公司創辦人摩爾同時踏入半導體業，與積體電路發明人傑克？基爾比同時進入美國德州儀器公司。1972年，先後就任德州儀器公司副總裁和資深副總裁，是最早進入美國大型公司最高管理層的華人。1987年，建立了全球第一家專業代工公司——臺灣積體電路製造股份有限公司（簡稱“臺積電”）。 因在半導體業的突出貢獻，他被美國媒體評為半導體業50年曆史上最有貢獻人士之一和全球最佳經理人之一。臺灣人則尊他為“半導體教父”，因為是他開創了半導體專業代工的先河。
10、鄧中翰
中星微集團建立人、董事長，“星光中國芯工程”總指揮。美國加州大學伯克利分校電子工程學博士、經濟管理學碩士、物理學碩士。他是該校建校130年來第一位橫跨理、工、商三學科的學者。1997年，鄧中翰加入IBM公司，做高階研究員，負責超大規模CMOS積體電路設計研究，並申請多項發明專利，獲“IBM發明創造獎”。一年後，鄧中翰離開IBM回到矽谷，結合矽谷著名的風險投資基金，建立了積體電路公司PIXIM，INC。，市值很快達到了1。5億美元。後在國家資訊產業部的倡議下，鄧中翰決定在國內組建中國本土的晶片設計公司。1999年10月，在中關村註冊成立了“中星微電子有限公司”。 2001年3月11日，中星微“星光一號”研發成功。這是中國首枚具有自主智慧財產權、百萬門級超大規模的數字多媒體晶片，同時結束了“中國矽谷”中關村無矽的歷史。2001年5月，“星光一號”實現產業化。
M幻幻2022-12-16 00:27:511、威廉 肖克萊（William Shockley）
1910年2月13日生於英國倫敦。美國物理學家，美國藝術與科學學院、電氣與電子工程師協會高階會員。
2、約翰 巴丁（John Bardeen）
1908年5月23日，巴丁出生於威斯康星州麥迪遜城。巴丁的研究領域包括半導體器件、超導電性和複製技術。
