長江儲存8月6日公佈了有關其Xtacking架構的關鍵細節，該架構將用於其即將推出的3D NAND快閃記憶體晶片。該技術涉及使用兩個晶圓構建NAND晶片：一個晶圓包含基於電荷陷阱架構的實際快閃記憶體單元，另一個晶圓採用CMOS邏輯。
傳統上，NAND快閃記憶體的製造商使用單一工藝技術在一個晶片上產生儲存器陣列以及NAND邏輯（地址解碼，頁面緩衝器等）。相比之下，長江儲存打算使用不同的工藝技術在兩個不同的晶圓上製作NAND陣列和NAND邏輯，然後將兩個晶圓粘合在一起，使用一個額外的工藝步驟透過金屬通孔將儲存器陣列連線到邏輯。
Xtacking架構旨在使NAND獲得超快的I/O介面速度，同時最大化其記憶體陣列的密度。長江儲存表示，其64層3D NAND晶片的I/O介面速度為3 Gbps，比三星最新的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。
長江儲存首次參加8月份在美舉行的快閃記憶體峰會（Flash Memory Summit）。此次峰會，長江儲存CEO楊士寧博士將釋出表主題演講並揭曉突破性技術Xtacking。主題為“ Unleashing 3D NAND‘s Potential with an Innovative Architecture ”，宣佈具突破性意義的 3D NAND 架構創新技術 Xtacking 的誕生。
以下是報告全文：Flash Memory Summit 2018， Yangtze Memory Technology Keynote Live Blog： Unleashing 3D NAND
