晶片是由晶圓 （wafer） 切出來的成分：

晶圓的基底 （substrate） 是單晶矽 （silicon）

離子注入 （implant） 的是硼和磷（B/P）

柵極氧化層/柵氧層 是二氧化矽 （SiO2 / silicon oxide）

柵極 （Gate） 是多晶矽 （polysilicon）

柵極的側壁 （Spacer） 是既有用二氧化矽 （SiO2 / silicon oxide） 也有用氮化矽 （SiN / silicon nitride）

歐姆接觸層 （salicide） 是二矽化鈷 （CoSi2 / cobalt silicon）

金屬連線是鋁或銅 （Al/Cu aluminum/copper）

層間填充物 （IMD） 是二氧化矽 （SiO2）

通孔 （Via） 填充是鎢 （tungsten）

通孔的壁壘層 （barrier-layer） 是氮化鈦 （TiN / titanium nitride）

MIM電容的介質是氮化鈦 （TiN）

晶圓 （wafer） 生產過程中使用的耗材/原材料：

Litho光刻膠 （photoresist）

CMP研磨液 （slurry）

這些基本都是有機化學原材料，就是：碳/氫/氧（C/H/O）。

如上這些是標準的成熟邏輯（logic）工藝器件（0。18um->65nm）中，晶片所包含的化學成分。除此之外，其它的特種工藝又有屬於自己的獨特材料，譬如：射頻（RF）器件有砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）；微機電（MEMS）器件有氮化鋁（AlN），等等等等吧

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