cmos漏電流公式？

使用者87901199013732022-02-05 15:56:02

MOSFETS飽和時候的漏極電流公式：

I=（1/2）UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）²

式中：

Un：為電子的遷移速率。

Cox：為單位面積柵氧化層電容。

W/L：氧化層寬長比。

Vgs-Vth：為過驅動電壓。

擴充套件資料：

早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料，但隨著半導體技術的進步，隨後MOSFET柵極使用多晶矽取代了金屬。

在處理器中，多晶矽柵已經不是主流技術，從英特爾採用45奈米線寬的P1266處理器開始，柵極開始重新使用金屬。

今日半導體元件的材料通常以矽（silicon）為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如IBM使用矽與鍺（germanium）的混合物所發展的矽鍺製程（silicon-germanium process，SiGe process）。

但是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（gallium arsenide，GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造MOSFET元件。

但丁wang2021-05-10 17:27:52

漏電流I=kUC，其中k漏電流常數，U為電容兩端電壓，C為電容值，單位為μa（v·μf）。。