髒話比謊話乾淨5582021-10-14 09:15:52Ube是BE極間電壓、Ubc是BC極間電壓，Uceo是CE極間飽和電壓，不用算，由器件DATASHEET給出，是本身的特性。
Ube=Ub-Ue
Ubc=Ub-Uc
PNP
Ubc=-0。2-（-5）=4。8V
Ube=-0。2-0=-0。2V
NPN
Ubc=2-0=2V
Ube=2-6=-4V
實際電路中，這個電壓是不可能的，原因很簡單，BE之間的PN接面在這個正偏電壓下正向到通，故Ube只能是0。7V左右，另外還有一種可能就是該管的BE之間大PN接面開路損壞了。
三極體，全稱應為半導體三極體，也稱雙極型電晶體、晶體三極體，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號，也用作無觸點開關。
三極體是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN接面，兩個PN接面把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。
擴充套件資料：
放大原理
1、發射區向基區發射電子
電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子（自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。
2、基區中電子的擴散與複合
電子進入基區後，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴複合，擴散的電子流與複合電子流之比例決定了三極體的放大能力。
3、集電區收集電子
由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。
