位錯反應計算是指位錯在晶體中引起畸變使晶體的內能增加的能量。
位錯在周圍晶體中引起畸變,是晶體產生的畸變能。
位錯又可稱為差排,在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的區域性不規則排列(晶體學缺陷)。
從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視為晶體中已滑移部分與未滑移部分的分界線,其存在對材料的物理效能,尤其是力學效能,具有極大的影響。
“位錯”這一概念最早由義大利數學家和物理學家維託·伏爾特拉於1905年提出。
位錯反應,由幾個位錯合成為一個新位錯或由一個位錯分解為幾個新位錯的過程。
位錯具有高能量而不穩定,除了與其他位錯(以及點缺陷)之間發生互動作用外,還常有自發反應,結果降低了體系的自由能。
自發的位錯反應必須滿足兩個條件:
一是幾何條件,即反應前後位錯在三維方向的分向量之和必須相等;
二是能量條件,即位錯反應後應變能必須降低